Samsung on ryhtynyt valmistamaan volyymeissä sulautettavaa flash-muistia, jonka kapasiteetti yltää jo yhteen teratavuun saakka. Tämä on kaksi kertaa enemmän kuin aiempi tallennustiheyden ennätys mobiililaitteessa. Samalla uusi eUFS-piiri tuo käytännössä kannettavan tietokoneen tallennustilan älypuhelimeen.
eUFS-tekniikka ei sinänsä ole mitään uutta. Kyse on MIPI Alliancen sähköiseen liitäntään perustuvasta väylästä, jonka avulla flash-muistista saadaan riittävän nopea uusia vaatimuksia, kuten vaikkapa 8K-videota varten. Kännykkävalmistajat ovat yhdessä kehittäneet tekniikkaa esimerkiksi SD-muistikorttien korvaajaksi.
Samsungin teratavun eUFS-piiri vie kuitenkin laitteisiin integroidun tallennustilan aivan uudelle tasolle. Tällä hetkellä monessa puhelimessa integroitua muistia on 64 gigatavua. Samsungin piirillä tallennustila kasvaa yli 20-kertaiseksi.
Samsung itse puhuu läppäritason tallennustilasta ja tämä kuvaa hyvin teratavun eUFS-muistia. Mielenkiintoinen kysymys on se, miten käy nykyisille SD-muistikorteille ja korttipaikoille? Onko korteille enää jatkossa tarvetta? Laitevalmistajathan haluavat niistä eroon, koska korttipaikka ja sen liitäntä oikeastaan vain vievät tilaa kuorien sisällä.
Samsungin piiri on samankokoinen kuin aiempaa 512 gigatavun piiri. 11,5 x 13 -millin tilaan on nyt saatu teratavun kapasiteetti, kun käytössä on 16 päällekkäin pinottua 512 gigabitin V-NAND-piiriä.
eUFS-standardiin on jo esitelty 3.0-versio, joka kasvattaa väylänopeuden 2,5-kertaiseksi 2.0-standardiin verrattuna. Samsungin piiri tukee 2.1-väylää, jota myöten dataa voidaan lukea 1000 megatavua sekunnissa. Kirjoitusnopeus on 260 megatavua sekunnissa.
MicroSD-kortteihin verrattuna eUFS-piirin tallennusnopeus on noin 10-kertainen.