Litiumioni-tekniikka on erinomainen niin älypuhelinten kuin sähköautojen akkujen toteutukseen, mutta sillä on puutteensa. Japanilaisessa Okayaman yliopistossa on kehitetty ratkaisu, joka voi parantaa akkuja huomattavasti.
Litiumioniakkuja ei ole mahdollista ladata nopeasti suurilla virroilla, sillä tämä johtaa akkujen lataussyklien määrän vähenemiseen. Myös varauskapasiteetti alenee, mikäli lataus on liian nopeaa.
Tähän on syynä rakenteen a käytettyjen materiaalien suuri resistanssi. Tämän ja muiden sivuvaikutusten takia akuissa ei oel voitu käyttää litium-koboltti-oksidia (LiCoO2) katodimateriaalina. Japanilaistutkijoiden mukaan koboltti-ionit liukenevat elektrolyyttiin lataus- ja purkujakson aikana.
Okayaman tutkijat löysivät aiemmassa tutkimuksessa barium-titaani-trioksidin -yhdisteen (BaTiO), joka paransi selvästi LTO-katodin suorituskykyä. Uudessa tutkimuksessa on selvitetty tarkemmin, miten BaTiO- tai BTO-materiaali vaikuttaa sekä latausprosessiin että kapasiteettiin.
Tutkimuksessa rakennettiin kolme erikatodia: yksi ilman BTO-rakennetta, yksi jossa päällä oli BTO-kalvo ka kolmas, jossa BTO tuotiin katodin päälle nanopisteinä. Tulokset olivat selviä: nanopisteillä päällystetty katodi toimi selvästi parhaiten, sillä se mahdollisti latausnopeuden kasvattamisen.
Tutkijoiden mukaan tämä selittyy sillä, että BTO-nanopisteet luovan polut, joita pitkin litiumionit voivat helpommin kulkea myös kovemmilla latausnopeuksilla. Tämä johtuu siitä, että sähkökentät keskittyvät niiden materiaalien ympärille, joilla dielektrinen vakio on suurin.
Löydetty mekanismi mahdollistaa tulevaisuudessa sekä älypuhelimien että sähköautojen akustojen merkittävästi nykyistä nopeamman lataamisen.
Analog Devices päätti jokin aika sitten lopettaa yhteistyön englantilaisen jakelijan Anglia Componentsin kanssa. Tässä ei ole sinänsä mitään ihmeellistä, mutta Anglia suivaantui tästä niin paljon, että tuli julkisuuteen asian kanssa. Toimitusjohtaja Steve Rawlinsin mukaan ADI:n päätös rajoittaa asiakkaiden valinnanvaraa.
Murata on julkistanut maailman ensimmäisen yhteysmoduulin, joka tukee uutta SGP.32 Remote SIM Provisioning (RSP) -spesifikaatiota osana integroitua SIM-teknologiaa (iSIM). Tämä uusi ratkaisu pohjautuu Muratan innovatiiviseen Type 2GD Cat.M1/NB-IoT -yhteysmoduuliin, joka tukee ETSI/3GPP Release 17 -standardia, sekä Giesecke+Devrientin (G+D) korkeasti suojattuun SGP.32-yhteensopivaan SIM-käyttöjärjestelmään.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.