Uusin tehoelektroniikka ja sen komponentit ovat laajasti esillä tänään Nürnbergissä alkaneilla PCIM-messuilla. Yksi kuumimpia aiheita messuilla on uuden materiaalin eli piikarbidin tulo tehokomponentteihin. Piikarbidilla (SiC) on monia etuja perinteiseen tehoelektroniikkaan verrattuna. Tehotiheyttä saadaan kasvatettua. Piirit tuottavat vähemmän lämpöä, joten jäähdytykseen tarvitaan kevyempiä ratkaisuja. Sanalla sanoen piikarbidi tekee tehoelektroniikkaan pienempää, hyötysuhteeltaan parempaa ja edullisempaa.
Piikarbidipiireissä ei käytännössä ole ns. häntävirtaa. Tämän ansiosta virransytön katkaisu voidaan tehdä merkittävästi piipohjaisia komponentteja nopeammin. Tämän pienentää järjestelmän tehohäviöitä. SiC-piirien kysyntää kasvaa nyt kovalla vauhdilla, joten ei ole ihme, että amerikkalainen Cree ilmoitti PCIM:ssä laajentavansa nykyistä SiC-tuotantolaitostaan miljardilla dollarilla.
Piikarbidi mahdollistaa myös aiempaa integroidummat tehokomponentit. Tämä näkyy PCIM-messuilla esimerkiksi japanilaisen ROHM:n uudessa AC/DC-muuntimessa, joon ensimmäistä kertaa on integroitu 1700 voltin SiC-pohjainen mosfetti mukaan.
ROHM on kehittänyt SiC-piirejän jo pidemmän aikaa. Jo vuonna 2015 se esitteli vastaavantyyppisen AC/AC-muuntimen. Uusi BM2SCQ12xT-LBZ-muunninsarja on tarkoitettu teollisuuden sovelluksiin, kuten servomoottoreihin ja työkoneissa käytettyihin inverttereihin.
Piikarbidimosfetin integroiminen muunninpiirille kutistaa 12 erillispiirin ratkaisun yhdelle integroidulle piirille. Lisäksi laitesuunnittelussa päästään eroon jäähdytyselementistä. Samalla hyötysuhde paranee viisi prosenttia häviöiden pienentyessä 28 prosenttia.