Infineon laajentaa BMS-tuotevalikoimaansa esittelemällä uuden PSOC 4 -sarjan mikro-ohjaimen, joka tuo ensimmäistä kertaa korkean jännitteen akuston valvonnan ja ohjauksen samaan PSoC-pohjaiseen siruun. HVPA-SPM 1.0 -sirulla yhtiö haluaa yksinkertaistaa sähköautojen akkujärjestelmiä ja tuoda moduulikohtaisen älykkyyden suoraan reunalle sen sijaan, että BMS perustuisi erillisiin analogisiin valvontapiireihin ja mikrokontrollereihin.

Tekoälyn nopea kasvu johtaa datakeskusten sähkönkulutuksen jyrkkään nousuun, varoittaa Gartner tuoreessa analyysissaan. Yhtiön mukaan datakeskukset kuluttavat vuonna 2025 yhteensä 448 terawattituntia sähköä, mutta määrä lähes kaksinkertaistuu vuoteen 2030 mennessä 980 terawattituntiin. Kasvua kiihdyttää ennen kaikkea AI-laskenta, joka lisää energiantarvetta huomattavasti nopeammin kuin perinteinen IT-kuorma.

Vielä ehdit osallistua marraskuun alussa ilmestyneen ETNdigi-lehden lukijakisaan. Lue lehti, valitse mielestäsi paras artikkeli ja postaa vastauksesi osoitteeseen Tämä sähköpostiosoite on suojattu spamboteilta. Tarvitset JavaScript-tuen nähdäksesi sen.. Vastannaiden kesken arvotaan OnePlus Nord 5CE -älypuhelin. Tämä kisa päätyy marraskuun lopussa.

TDK-Lambdan i7A -sarjan uudet ei-erotetut buck-muuntimet eli hakkuritehonlähteet tuottavat jopa 1000 wattia ja 80 ampeerin virran. Teho on peräti 82 prosenttia enemmän kuin aiemmissa sarjan malleissa. Koko on edelleen 1/16-brick eli noin 3,3 × 2,3 × 1,3 senttimetriä. TDK:n mukaan kyseessä on sen historian tehokkain 1/16-brick-muunnin

Kiinalaislehtien mukaan Dongfeng Motor on tuomassa markkinoille kiinteän elektrolyytin akun, jonka energiatiheys nousee jo lukemaan 350 wattituntia kiloa kohti. Jos luvut pitävät paikkansa, kyseessä olisi yksi maailman tehokkaimmista akkukennoista.

STMicroelectronics on julkaissut uuden e-fuse-tekniikkaan perustuvan älykkään sulakeohjaimen, joka suojaa auton sähköjärjestelmää jopa kymmenen kertaa perinteistä sulaketta nopeammin.

Monashin yliopiston ja RMIT-yliopiston tutkijat ovat kehittäneet uudenlaisen grafeenipohjaisen superkondensaattorin, joka yhdistää korkean energian ja tehotiheyden poikkeuksellisen pieneen kokoon. Uusi rakenne voi mullistaa pienten ja tehokkaiden energialähteiden kehityksen esimerkiksi kannettaviin laitteisiin, sähköajoneuvoihin ja IoT-sovelluksiin.

Nala Renewables käynnistää 50 MW / 100 MWh:n akkuenergiavaraston rakentamisen Kauhavalla. Hankkeessa ovat mukana uusiutuvan energian teknologian johtaja Sungrow sekä rakennusyhtiö KSBR, ja pitkäaikaisesta rahoituksesta vastaa Societe Generale.

Tutkijat Kiinassa ovat kehittäneet kelluvan laitteen, joka muuttaa sadepisaroiden liike-energian sähköksi hyödyntämällä vettä itseään osana sähköpiiriä. Laitetta kutsutaan W-DEG-generaattoriksi.

Kiinteää elektrolyyttiä hyödyntävät ns. solid-state-akut ovat siirtymässä tutkimusvaiheesta kohti massatuotantoa, ja niiden globaali kysyntä kasvaa räjähdysmäisesti ensi vuosikymmenellä, kertoo analytiikkayhtiö TrendForce tuoreessa raportissaan.

OnePlus julkistaa uuden OnePlus 15 -älypuhelimensa globaalisti ensi viikolla 13. marraskuuta. Yhtiön mukaan laite edustaa suurinta harppausta suorituskyvyssä ja käyttökokemuksessa sen historiassa. Käyttäjiä miellyttänee pitkän käyttöajan kupaava peräti 7300 milliampeeritunnin akku.

Pickering Interfaces on julkaissut uuden, entistä tehokkaamman akkusimulaattorimoduulin BMS-testaukseen. Uudet 41-754 (PXI) ja 43-754 (PXIe) -mallit tarjoavat jopa 5 A virran ja 8 V jännitteen per kanava, ja ne sopivat yhden korttipaikan PXI-kehikkoon.

Infineon Technologies AG on laajentanut 32-bittisten moottoriohjainten MOTIX-perhettään uusilla TLE994x- ja TLE995x-sarjoilla, jotka on suunniteltu sekä harjallisille (BDC) että harjattomille (BLDC) moottoreille. Uutuudet tarjoavat tiukkaa, tarkkaa ja kustannustehokasta moottorinohjausta erityisesti pieniin ja keskisuuriin sovelluksiin – kuten pumppuihin, tuulettimiin ja säätölaitteisiin – niin auto- kuin teollisuuskäytössä.

Tehoelektroniikan komponenteista tunnettu onsemi on esitellyt maailman ensimmäisen teollisen mittakaavan pystysuuntaisen galliumnitridi-transistorin (vertical GaN, vGaN), joka merkitsee merkittävää harppausta tehoelektroniikan kehityksessä. Tämä uusi GaN-on-GaN-teknologia mahdollistaa korkeamman hyötysuhteen, suuremman tehotiheyden ja pienemmän lämmöntuoton kuin perinteiset piihin tai safiiriin perustuvat komponentit.

Qualcomm on esitellyt uuden sukupolven PC-prosessorinsa, Snapdragon X2 Elite -piirin, joka asettaa paineita koko alan jättiläiselle Intelille. Uutuus lupaa sekä huomattavasti paremman suorituskyvyn että selvästi alhaisemman virrankulutuksen – ja tekee sen ilman, että tehot romahtavat akkuvirralla.

Autoteollisuus on käännekohdassa. Yksi teknologinen läpimurto voi ratkaista sähköautojen suurimmat haasteet: kantaman, latausajan ja turvallisuuden. Tätä ratkaisua kutsutaan kiinteäelektrolyyttiseksi akuksi eli SSB-akuksi (Solid-State Battery). Viime viikkoina useat suuret autonvalmistajat ovat ilmoittaneet edistysaskelistaan, ja Toyota on ottanut ensimmäisen todellisen harppauksen kohti kaupallista käyttöä.

Gallium-nitridi (GaN) on noussut tehoelektroniikan seuraavan sukupolven avainteknologiaksi. Yole Groupin tuore Power GaN 2025 -raportti ennustaa markkinan kasvavan noin 3 miljardin dollarin arvoiseksi vuoteen 2030 mennessä. Nykyisestä markkina kasvaa näin kuusinkertaiseksi.

Infineon on laajentanut IPOSIM-virtalaitteiden simulointialustaansa tuomalla siihen SPICE-pohjaisen mallinnuksen, joka mahdollistaa aiempaa tarkemmat järjestelmätason simulaatiot. Uusi toiminnallisuus huomioi porttiajurit, ulkoiset piirit ja epälineaarisen puolijohdefysiikan, mikä parantaa merkittävästi mallien tarkkuutta erityisesti dynaamisissa ja lämpötilariippuvaisissa olosuhteissa.

Sirujen kuumeneminen on yksi tekoäly- ja superlaskennan suurimmista esteistä. Kun transistorit pienenevät ja toimivat yhä suuremmilla taajuuksilla, lämpö tiivistyy mikroskooppisiin “hot spot” -alueisiin, jotka voivat olla jopa kymmeniä asteita muuta sirua kuumempia. Tämä pakottaa prosessorit hidastamaan toimintaansa, jotta ne eivät vaurioidu.

Gallium-nitriditeknologia (GaN) on ottamassa historiallisen harppauksen korkeajännitealueelle ja haastaa ensi kertaa piikarbidin (SiC) asemat tehoelektroniikan raskaimmassa sarjassa. Power Integrationsin tuore julkaisu esittelee maailman ensimmäiset 1250 V ja 1700 V PowiGaN-kytkimet, jotka on suunniteltu NVIDIAn 800 voltin DC-arkkitehtuuriin seuraavan sukupolven tekoälydatakeskuksissa.