STMicroelectronics on esitellyt uuden ST54M-turvasirun, joka on tarkoitettu älypuhelimiin, puettaviin laitteisiin ja muihin henkilökohtaisiin elektroniikkalaitteisiin. Sirun tehtävä on suojata maksamista, digitaalista henkilöllisyyttä, eSIM-yhteyksiä ja muita arjen mobiilipalveluja myös tulevien kvanttitietokoneiden uhkia vastaan.
ST54M ei ole sovellusprosessori eikä modeemi, vaan mobiililaitteen erillinen turvapiiri. Se yhdistää samalle piisirulle NFC-ohjaimen, sulautetun turvaelementin ja eSIM-toiminnot. Näitä käytetään esimerkiksi lähimaksuissa, joukkoliikenteen lipuissa, digitaalisissa avaimissa, kulunvalvonnassa, mobiilivarmenteissa, digitaalisissa ajokorteissa ja operaattoriprofiilien hallinnassa.
Uutta on se, että ST on lisännyt siruun laitteistokiihdyttimen salausalgoritmeille, jotka on suunniteltu kestämään myös kvanttitietokoneiden aikakaudella. Tuettuja algoritmeja ovat ML-KEM ja ML-DSA. Niiden avulla laitevalmistajat voivat alkaa rakentaa puhelimiin ja muihin laitteisiin turvaratkaisuja, joiden pitäisi täyttää 2030-luvulle arvioituja uusia suojausvaatimuksia.
ST:n mukaan ST54M on yhden piisirun ratkaisu. Tämä on mobiililaitteissa tärkeää, koska valmistajat haluavat säästää tilaa, virtaa ja antennirakenteita. Siru sisältää myös parannetun radiotaajuusosan, jonka luvataan helpottavan NFC:n käyttöä pienemmillä antenneilla ja vaativammissa sovelluksissa. Näitä voivat olla esimerkiksi mobiilimaksupäätteet ja langattomaan lataukseen liittyvät ratkaisut.
Yhtiö korostaa, että siru on suunnattu laajalle ekosysteemille. Sen käyttäjiä voivat olla puhelinvalmistajat, verkko-operaattorit, pankit, viranomaiset, joukkoliikennetoimijat, autonvalmistajat sekä digitaalisten lompakoiden ja muiden mobiilipalvelujen tarjoajat.
ST54M on jo asiakasnäytteissä. Varsinainen tuotanto sekä Common Criteria 2022 EUCC- ja EMVCo-sertifioinnit on tarkoitus saada valmiiksi heinäkuussa 2026.
IGBT on pitkään ollut teollisuuden tukipilari, joka yhdistää suuren tehon yksinkertaisiin ohjaustapoihin. Uuden polven IGBT7-teknologia on saanut merkittäviä parannuksia verrattuna aiempiin sukupolviin: alhaisempi myötäjännite, suuremmat nimellisvirrat, ylikuormituskapasiteetti 175°C asti, tarkempi dv/dt-säätö ja laadukkaampi suojadiodi.
