Uusimpien mikropiirien tuotannossa siirrytään jo 10 nanometriin ensi vuonna. Tässä kisassa ovat mukana TSMC, Intel ja nyt uusimpana Samsung. Korealaisyritys on vahvistanut, että 10 nanometrin prosessi on täydessä tuotantovauhdissa ensi vuoden loppuun mennessä.
Kehitys puolijohdeprosesseissa ei edelleenkään hidastu. Vasta viime kuussa TSMC kertoi käynnistävänsä tämän vuoden aikana laajamittaisen tuotannon 16 nanometrin FINFET-prosessissaan. Jo tämän vuoden aikana yhtiö ryhtyy kvalifioimaan 10 nanometrin viivanleveydellä valotettuja siruja.
Samsung ryhtyi tänä vuonna valmistamaan älypuhelimien Exynos-prosessoreja 14 nanometrin prosessissa. Uusien Galaxu S6 -älypuhelinten sovellusprosessori on yksi markkinodien ensimmäisiä 14 nanometrin piirejä.
Tulevasta 10 nanometrin FINFET-prosessistaan Samsung lupaa kertoa yksityiskohtia myöhemmin. Yhtiön mukaan uusi prosessi tuo merkittäviä etuja piialan, suorituskyvyn ja tehonkulutuksen suhteen, mikä on tietenkin normaali Mooren lain mukaista kehitystä.