Samsung kertoo aloittaneen 64-kerroksiseen 3D-rakenteeseen perustuvien V-NAND-piirien volyymituotannon. 256 gigabitin piiri on maailman nopein flash-muisti, joka siirtää dataa prosessorille yhden gigabitin sekuntinopeudella.
Samsung aloitti 256 gigabitin sirujen valmistamisen avainasiakkailleen jo tammikuussa. Piirillä on jo toteutettu sulautettuja muisteja, SSD-levyjä ja ulkoisia muistitikkuja. Samsung on tuomassa nämä markkinoille myöhemmin tänä vuonna.
Samsung kertoo, että tämän yhtiön 4. polven 3D-flashien osuus sen koko NAND-piirien tuotannosta kasvaa yli 50 prosenttiin vuoden loppuun mennessä.
Lukunopeuden lisäksi Samsungin V-NAND-piirien ohjelmointiaika on markkinoiden nopein. 500 mikrosekunnin ohjelmointiaika on nelisen kertaa markkinoilla olevia 10 nanometrin 2D-pohjaisia NAND-piirejä nopeampi. Verrattuna Samsungin edelliseen 48-kerroksiseen V-NAND-tekniikkaa ohjelmointi onnistuu 1,5-kertaisella nopeudella.
Samsungin mukaan metallointikerrosten lisääminen flash-piirille kasvattaa valmistuksen teknologiasia haasteita. Esimerkiksi kerrosten läpi kulkevien linjoja saaminen homogeenisiksi pienillä geometrioilla on ollut erityisen vaikeaa. Samsung onkin patentoinut V-NAND-prosessiaan yli 500 patentilla.
Analog Devices päätti jokin aika sitten lopettaa yhteistyön englantilaisen jakelijan Anglia Componentsin kanssa. Tässä ei ole sinänsä mitään ihmeellistä, mutta Anglia suivaantui tästä niin paljon, että tuli julkisuuteen asian kanssa. Toimitusjohtaja Steve Rawlinsin mukaan ADI:n päätös rajoittaa asiakkaiden valinnanvaraa.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.