Piilaaksossa on järjestetty Flash Memory Summit -tapahtuma, jossa on jo vuosia esitelty tallennustekniikan mielenkiintoisimpia uutuuksia. Tällä kertaa pääosaan nousi esimerkiksi neljä bittiä samaan NAND-soluun tallentavat tekniikat. Samsung kertoi tuovansa ensi vuonna markkinoille terabitin V-NAND-piirin.
Terabitin siru mahdollistaa esimerkiksi kahden teratavun muistikotelon, kun samaan pakettiin pinotaan kuusitoista kappaletta uusia siruja. 32 sirulla päästän jo neljään teratavuun.
Samsung kehui myös ensi vuonna markkinoille tulevien piirien nopeutta. Data siirtyy prosessorille 1,2 gigabitin sekuntivauhtia. Yhtiössä on työn alla seuraavan polven Z-NAND-arkkitehtuuri, jossa latenssi saadaan puristettua Intelin ja Micronin kehittämän Xpoint-muistin tasolle.
Samsung esitteli NAND-korteille myös uuden formaatin San Josessa. M.3-formaatti on aiempaa M.2-korttia leveämpi, sillä sen mitat ovat 30,5 x 110 x 4,38 milliä. Kortin avulla yhteen 1U-räkkipaikkaan saadaan sopimaan neljä kertaa enemmän muistikapasiteettia kuin M.2-pohjaisiin järjestelmiin.
Samsung demosikin jo tapahtumassa 1U-paikkaan sopivaa levyä, jolle sopii dataa peräti 576 teratavua. Levy koostuu 36 SSD-levystä, joille kaikille sopii 16 teratavua dataa.
Saksalaislähtöinen Ubitium on kehittänyt innovatiivisen prosessoriarkkitehtuurin, joka yhdistää eri suorittimien (CPU, GPU, DSP, FPGA) toiminnot yhteen siruun. Yrityksen mukaan tämä uusi RISC-V-arkkitehtuuriin perustuva ratkaisu mullistaa yli 50 vuotta vanhan suorittimien suunnittelun.
Moni uusi sähköauton omistaja kokee toimintasädeahdistusta. Tätä ongelmaa autonvalmistajat voivat helpottaa siirtymällä piipohjaista IGBT-piireissä piikarbidiopohjaisiin siruihin. auton vetoinvertterissä.
