Samsung on esitellyt uuden SSD-kiintolevyn sovelluksiin, joissa vaaditaan äärimmäistä nopeutta, kuten tekoäly- ja big data -laskennassa sekä IoT-sovelluksissa. Uudet Z-muistipiirit ovat selvästi aiempia V-NAND-piirejä suorituskykyisemmät.
Ensimmäinen Z-SSD-levy on 800 gigatavun SZ985. Samsung esittelee levyä piiritekniikan ISSCC-konferenssissa San Franciscossa helmikuun toisella viikolla.
Z-NAND-piirit tuovat 10 kertaa paremman datanlukunopeuden solua kohti kuin aiemmat 3-bittiset V-NAND-piirit, Samsung kehuu. Piirien rinnalla on 1,5 gigatavuun yltävä LPDDR4-muisti sekä erittäin tehokas ohjain.
Kehityksen ansiosta Z-SSD-levyn lukunopeus on aiempaan nopeimpaan SSD-levyyn verrattuna 1,7-kertainen. Lisäksi datanluvun latenssi on viisi kertaa lyhyempi: 16 mikrosekuntia.
Samsung kehuu lisäksi uusien Z-SSDlevyjen luotettavuutta. Niille luvataan 30 levykirjoitusta päivässä viiden vuoden ajan, eli kaikkiaan dataa voidaan tallentaa luotettavasti 42 petatavun verran. Viiden vuoden aikana tämä tarkoittaa 8,4 miljoonan täyspitkän FullHD-elokuvan tallentamista.






















