Toshiba aikoo laajentaa Yokkaichissa sijaitsevaa flash-piirien tuotantolaitostaan. Samalla Fab5-nimellä tunnettu laitos valmistautuu kolmiulotteisten nand-flashien tuotantoon. Japanilaisyritys näyttää ennättävän 3d-siruihin ensimmäisenä. Yokkaichissa Toshiballa on kolme nand-sirujen tuotantolinjaa.
Fab5:n ykkösvaiheessa tuotanto alkoi heinäkuussa 2011. Viime vuonna yhtiö leikkasi jo nand-tuotantoon lähes kolmanneksella, mutta nyt siruista on jo pulaa ja valmistajat yrittävät vastata kysyntään.
Toshiban mukaan Fab5:n laajennuksella valmistaudutaan ennen kaikkea tulevien 3d-sirujen valmistukseen. Toshiban menetelmässä nand-kerroksia pinotaan päällekkäin yhdeksi siruksi. Niiden läpi menee kontrollijohdin.
Toshiban rakenteessa nand-kerroksia tulee joko 16 tai 32. Yhtiö on luvannut 128 ja 256 gigabitin protosiruja näytille jo tänä vuonna. Varsinaisten näytepiirien valmistus alkaa yhtiön mukaan ensi vuonna.
Myös Intelin ja Micronin flash-yhteisyritys IMFT suunnittelee 3d-flashien valmistusta. Intelin mukaan uusilla materiaaleilla nykyisen 2d-rakenteen pitäisi kuitenkin skaalautua edelleen nykyistä tiheämmäksi, joten yhtiö ei vielä kiirehdi 3d-flashin saamista tuotantoon.